收藏本站
BS250F
TYPICAL CHARACTERISTICS
120
100
80
60
40
20
0
Note:V DS= -10V
120
100
80
60
40
20
0
Note:V DS= -10V
0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6 -0.7 -0.8 -0.9 -1.0
0 -1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
60
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
2
50
Note:V GS= 0V
1
Note:I D=- 0.2A
40
f=1MHz
0
-2
30
20
10
C iss
C oss
C rss
-4
-6
-8
-10
-12
V DS =
-20V -40V -60V
-14
0
-16
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
0
0.5
1.0
1.5
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
3 - 57
Q-Gate Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
BS250PSTZ MOSFET P-CHAN 45V TO92-3
BS270_D74Z MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
BS870-7 MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
BSN20-7 MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
BSS123-7 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSS123_D87Z MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
BSS123TC MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
BSS123W-7 MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
相关代理商/技术参数
BS250KL 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
BS250KL-TR1 功能描述:MOSFET 60V 0.27A 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS250KL-TR1-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.27A 0.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS250KL-TR1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
BS250P 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS250PSTOA 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS250PSTOB 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BS250PSTZ 功能描述:MOSFET P-Chnl 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube